نسل دوم فناوری ۳ نانومتری و نسل چهارم فناوری ۴ نانومتری ریخته‌گری سامسونگ به زودی معرفی می‌شوند

ریخته‌گری سامسونگ قرار است از فرآیندهای بهبودیافته تولید تراشه‌های ۳ و ۴ نانومتری خود، این ماه و در VLSI Symposium 2023 رونمایی کند. این رویداد از ۲۱ تا ۲۶ خرداد ۱۴۰۲ در کیوتو، ژاپن برگزار می شود. در جریان رویداد صنعت تراشه، این برند کره‌ای فرآیندهای نسل دوم ۳ نانومتری و نسل چهارم ۴ نانومتری خود را رونمایی خواهد کرد.

فناوری‌های جدید ریخته‌گری سامسونگ

هر دو فرآیند جدید برای Samsung Foundry مهم هستند زیرا به آن کمک می‌کند مشتریان بیشتری را به دست آورد. فرآیند ۴ نانومتری این شرکت که برای ساخت چیپست‌های Exynos 2200 و Snapdragon 8 Gen 1 استفاده شد، مورد انتقاد بسیاری قرار گرفت، زیرا در مقایسه با فرآیند ۴ نانومتری TSMC اصلا بهینه نبود.

در نتیجه ریخته‌گری تایوان توانست سفارش‌های عظیمی برای تولید تراشه‌های اپل A16، کوالکام Snapdragon 8 Gen 2، مدیاتک Dimensity 9000 و پردازنده های گرافیکی سری RTX 4000 برند Nvidia را کسب کند.

تراشه‌هایی که با استفاده از فرآیندهای SF3 (3 نانومتری GAP) و SF4X (4 نانومتری EUV) سامسونگ Foundry ساخته می‌شوند، عملکرد و کارایی بهتری دارند.

فرآیند تولید تراشه SF3 ریخته‌گری سامسونگ از فناوری ۳ نانومتری GAP استفاده خواهد کرد. این یک نسخه بهبودیافته از فرآیند SF3E است که در نیمه دوم سال ۲۰۲۲ برای ساخت تراشه‌ها استفاده شد.

در مقایسه با SF4 (4 نانومتری EUV LPP)، گفته می‌شود که SF3 در همان توان تا ۲۲ درصد سریع‌تر یا در همان سرعت کلاک و تعداد ترانزیستور ۳۴ درصد کارآمدتر است. همچنین گفته می‌شود که ۲۱ درصد کوچکتر خواهد بود.

نسل دوم فناوری ۳ نانومتری سامسونگ برای Exynos 2500 و Snapdragon 8 Gen 4 قابل استفاده است

معمولاً، فرآیندهای تولید تراشه نسل اول سامسونگ به طور گسترده مورد استفاده قرار نمی‌گیرند، در حالی که نسل‌های بعدی توسط شرکت‌های مختلف تراشه استفاده می‌شوند. با توجه به سابقه ریخته‌گری سامسونگ، فناوری ساخت تراشه های ۳ نانومتری نسل دوم آن می‌تواند توسط حداقل یک برند بزرگ تراشه‌ساز استفاده شود. برخی شایعات ادعا می کنند که Exynos 2500 و Snapdragon 8 Gen 4 می توانند از فرآیند SF3 استفاده کنند.

نسل چهارم فرآیند ۴ نانومتری این شرکت کره‌ای، که برای استفاده در برنامه‌های محاسباتی با کارایی بالا مانند پردازنده‌های مرکزی سرور و پردازنده‌های گرافیکی طراحی شده است، در مقایسه با SF4 (نسل دوم 4 نانومتری) 10 درصد عملکرد و 23 درصد بازده انرژی بهبود یافته ارائه می‌کند.

این فرآیند جدید با گره‌های N4P (نسل دوم 4 نانومتری) و N4X (نسل سوم 4 نانومتری) TSMC رقابت خواهد کرد که به ترتیب در سال‌های 2024 و 2025 در دسترس خواهند بود.

به گفته یک منبع آگاه، SF4X ریخته‌گری سامسونگ اولین گره این شرکت در سال‌های اخیر است که با در نظر گرفتن محاسبات با عملکرد بالا ساخته شده است، که می‌تواند به این معنی باشد که انتظار تقاضای خوبی از سوی مشتریانش برای آن دارد.

نظر شما چیست؟ فکر می‌کنید ریخته‌گری سامسونگ می‌تواند با فناوری‌های جدید خود در بازار موفق شود؟